25/08/14隨著先進制程廠商3nm技術商用化、AI芯片需求持續增長，以及先進移動處理器制程工藝不斷演進，全球半導體制造進入了更高精密度的發展階段。在先進制程的精密制造環境中，晶圓缺陷檢測、EUV掩膜檢測等關鍵環節，對成像系統的性能要求不斷提升。TDI（Time Delay Integration）相機憑借其高速掃描、大幅面覆蓋、高分辨率成像等技術優勢，成為高端檢測設備的核心組件。然而，在實際應用中，相機的檢測精度很大程度上取決于一個技術細節——圖像非均一性噪聲校正精度。作為國內先進TDI相機技術提供商，鑫圖光電在DSNU/PRNU校正技術方面積累了豐富的工程經驗和技術優勢。本文將深入解析DSNU/PRNU校正技術的物理機制、技術演進與應用實踐，展示這一關鍵技術如何影響先進制程檢測的最終效果。
1. DSNU 與 PRNU 概念解析
在理想模型中，圖像傳感器的每個像元（Pixel）在相同條件下應輸出完全一致的信號值——這意味著其暗信號響應一致（無光條件）且光電響應一致（有光條件）。但現實中，由于像素制造工藝的微小差異、材料特性不均、工藝缺陷和讀出電路的非理想行為，實際像元的響應存在個體差異，從而形成固定模式噪聲（FPN）。
1）DSNU（暗信號不均一性）
DSNU（Dark Signal Non-Uniformity，中文：暗信號不均一性）指在完全無光條件下，不同像元的暗電流產生速率存在差異，導致輸出信號存在固定的亮/暗偏差。這種噪聲在長曝光、弱光成像時尤為突出，表現為背景中固定位置的亮點、暗點、豎紋或斑塊結構。
圖1-1：DSNU最典型的表現形式之一，清晰展示了像素暗信號不均一性的特點。
PRNU（Photo Response Non-Uniformity，中文：光響應不均一性）指在均勻光照下，不同像元對光的轉換效率（量子效率或增益）存在差異，導致輸出亮度存在固定的紋理或條帶結構。其主要來源包括微透鏡對準偏差、光電二極管面積差異、工藝摻雜不均等，表現為亮度紋理差異、條紋/帶狀噪聲、網格/塊狀模式、漸變響應差異等。
圖1-2：PRNU最典型的表現形式之一，清晰展示了像素光響應不均一性的特點。
2. DSNU 與 PRNU 校正技術解析
DSNU/PRNU 校正的核心，是消除圖像傳感器的“像素個性差異”，讓所有像素表現如同一個理想像素，從而使系統捕獲的僅是真實信號，而非傳感器固有缺陷。經過校正，背景可接近理想的均勻灰，從而為定量檢測提供更高的測量精度和數據可靠性。根據應用場景和需求不同，典型技術和發展方向主要包括以下幾種：
1）人工/靜態算法校正技術
通過暗場和均勻光場拍攝獲得校正數據，補償像素固有差異。該方式操作簡便，適用于典型或標準化檢測場景，但精準度會受到溫度漂移、器件老化、光源光譜變化等動態因素影響。
2）制冷+溫控校正技術
通過 TEC 制冷降低像素暗電流及 DSNU，并結合多組溫度預存校正參數，實現溫度漂移的適配。該方式能顯著提升背景均一性和弱光信號純凈度，可將校正基線保持在穩定范圍內，確保長時間運行的精度可靠性。
3）AI動態算法實時校正技術（未來發展方向）
利用 FPGA/ISP 實時采樣，結合 AI 動態算法在線更新校正系數，實時響應光源波動、溫漂和像素老化等復雜變化。該技術需要大數據支撐，是未來大規模、高通量、動態檢測等高端系統的發展方向。
圖2：DSNU/PRNU 校正前后效果對比。校正后圖像背景呈現出高度均一性。
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技術發展趨勢：隨著先進制程研發的持續推進，以及AI應用推動先進芯片需求增長，對檢測精度的要求不斷提升。校正技術正從傳統的“事后補償”、“過程抑制”向“實時校正”的智能化方向發展。
3. 半導體檢測應用痛點解析
在先進制程的半導體檢測中，背景均一性直接決定了低對比度缺陷的可檢出率。無論是明場檢測中僅比背景高出 1% 的細微反射差異，還是暗場檢測中弱于背景幾個數量級的散射信號，都要求 DSNU/PRNU 校正精度和穩定性達到更高標準。尤其在多波長、多角度、多行頻等復雜檢測模式下，任何校正殘差都可能導致缺陷漏檢或誤檢。
1）明場缺陷檢測：信號與背景差異極小
應用痛點：在前道晶圓明場檢測場景中，典型缺陷（納米顆粒、光刻殘留、微劃痕）的反射信號，往往僅比背景高/低 1%~3%。當 PRNU 也在 1% 量級時，其“紋理噪聲”會與缺陷信號強度相當，使低對比度缺陷直接淹沒在背景中，就會造成漏檢或誤檢。
圖3-1：半導體DIC明場檢測圖像示例
2） 暗場/弱光缺陷檢測：信號極其微弱
應用痛點：暗場檢測依賴缺陷的散射光信號，其強度可能比背景低幾個數量級。在這種條件下，DSNU 會在暗背景中形成固定亮模式，極易被算法誤判為缺陷。
圖3-2：半導體暗場缺陷檢測圖像示例
在半導體高 NA 檢測系統或低光條件下，這種干擾被進一步放大。例如，在 PL/EL 檢測中，缺陷信號可能僅有幾十到幾百 e?，而若 DSNU 殘差達幾十 e?，就足以淹沒真實信號。
3）先進檢測系統的挑戰：多模式帶來的復雜性
應用痛點：先進檢測系統常需多波長、多角度、多行頻等組合模式，但 PRNU 與 DSNU 在不同條件下的表現并不一致。如果補償算法無法適應不同條件，就會在某些模式下出現缺陷檢出率驟降的問題。
圖3-3：半導體多條件檢測系統應用痛點示意圖
4. 鑫圖先進DSNU/PRNU校正技術介紹
針對明場與暗場檢測中低對比度信號易被背景噪聲淹沒，以及多波長、多角度、多行頻模式下校正一致性難以維持的痛點，鑫圖 TDI 相機通過高性能制冷溫控系統與高精密參數校正等核心降噪技術，構建了全鏈路 DSNU/PRNU 噪聲抑制體系，可實現半導體檢測系統跨條件、長時間、低光照環境下的穩定高精度檢測需求。
1）高性能制冷溫控系統
·采用高效 TEC 制冷模塊，大幅抑制像素暗電流并降低 DSNU 基線，顯著提升弱光與暗場檢測背景的純凈度。
·集成精密溫控與反饋回路，實現 ±0.5℃ 溫度穩定度，確保長時間運行中校正參數不漂移，滿足納米級先進制程的高穩定性要求。
圖 4-1 ：鑫圖TDI相機制冷前后背景均一性對比
2）高精度參數校正功能
·支持數百組 TDI 校正參數存儲與快速切換，針對多波長、多角度、多行頻等復雜檢測模式，逐一匹配最優校正表，避免條件切換導致的背景均一性下降。
·以 Gemini 8KTDI 相機為例，PRNU 可降至 0.124%、DSNU（10-bit）低至 5.8 e?，足以分辨低于 1% 對比度的微小缺陷信號。
圖4-2：鑫圖TDI相機軟件PRNU/DSNU校正功能界面
5. 發展趨勢與未來展望
在全球半導體產業向更先進制程邁進的征程中，DSNU/PRNU 校正技術已從輔助功能發展為核心技術。鑫圖光電將持續投入研發資源，推動校正技術向更高精度、更智能化、更廣應用的方向發展，為中國半導體制造業的自主可控和高質量發展提供有力支撐。
隨著人工智能、物聯網、自動駕駛等新興領域對芯片性能要求的不斷攀升，半導體檢測的精度門檻也將持續抬高。唯有掌握底層核心技術原創能力的企業，才能在這場精密制造的競賽中搶占先機，成為推動全球半導體技術進步的重要力量。
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